[发明专利]III族氮化物半导体基板

说明书

根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板(自支撑基板(30))，其由III族氮化物半导体晶体构成，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，在室温条件下，照射波长为325nm、输出为10mW以上且40mW以下的氦‑镉(He‑Cd)激光，以面积1mm²为单位进行成像(mapping)的光致发光(PL，photoluminescence)测定中的所述第一主表面和第二主表面各自的发光波长的变动系数均为0.05％以下，所述变动系数是通过以发光波长的标准偏差除以发光波长的平均值来算出的。如果在该自支撑基板(30)上制作器件，可抑制器件间的品质的偏差。

技术领域

本发明涉及一种III族氮化物半导体基板。

背景技术

包含以半极性面为主表面的III族氮化物半导体层的基板，正在开发途中。在专利文献1中，公开了相关的技术。

在专利文献1中公开了一种基板，其具有由III族氮化物半导体构成的层，该层的主表面的法线从[11-22]轴向+c轴方向以5度以上且17度以下的范围倾斜。

作为其制造方法，公开了如下方法：在主表面为规定的面方位的基底基板(蓝宝石基板、III族氮化物半导体基板等)上，通过MOCVD(金属有机化学气相沉积，metal organicchemical vapor deposition)法、分子束外延法、HVPE(氢化物气相外延，Hydride VaporPhase Epitaxy)法等，以具有Ga极性成分的半极性面作为生长面，使III族氮化物半导体外延生长，由此，形成如上所述的层。

在专利文献2中公开了，将从以半极性面为主表面的复数个小片分别生长的结晶接合，制造包含以半极性面为主表面的III族氮化物半导体层的基板。

现有技术文件

专利文献

专利文献1：日本特开2016-12717号。

专利文献2：日本特许第5332168号。

发明内容

发明要解决的课题

如专利文献1所公开的技术那样，在将具有Ga极性成分的半极性面作为生长面的生长中，意外的氧原子的引入量变大。因此，生长得越厚结晶性越紊乱。另外，在专利文献2所公开的技术的情况下，在复数个小片的边界上的接合部产生凹陷、缺陷等。其结果，晶体的光学特性紊乱(基板面内的光学特性变得不均匀)。当在这样的基板上制作复数个器件(光学器件等)时，在复数个器件之间品质可能会产生偏差。本发明的课题在于解决该问题。

解决课题的手段

根据本发明提供一种III族氮化物半导体基板，其中，其由III族氮化物半导体晶体构成，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，在室温条件下，照射波长为325nm、输出为10mW以上且40mW以下的氦-镉(He-Cd)激光，以面积1mm²为单位进行成像(mapping)的光致发光(PL，photoluminescence)测定中的所述第一主表面和第二主表面各自的发光波长的变动系数均为0.05％以下。

发明的效果

根据本发明，能够抑制在III族氮化物半导体基板上制作的复数个器件间的品质的偏差。

附图说明

通过以下所述的优选实施方式及其附带的以下附图进一步阐明上述目的及其他目的、特征及优点。

图1是表示本实施方式的III族氮化物半导体基板的制造方法的处理流程的一个实例的流程图。

图2是示意性地表示本实施方式的模板基板20的一个实例的侧视图。