[发明专利]半导体存储装置和信息处理设备有效
申请号: | 201880014393.8 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN110352458B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 黑田真实 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C11/16 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | [问题]提供一种半导体存储装置,能够正常地从存储元件读取一值并且实现大容量。[解决方案]根据本发明的半导体存储装置设有:存储元件;具有第一电阻状态的参考元件,用于生成用来判定存储元件中保持的值的参考电位;以及具有的第二电阻状态高于第一电阻状态的电阻值的参考元件,用于生成参考电位。半导体存储装置具有其中当生成参考电位时,具有第一电阻状态的参考元件的数量更多的配置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 信息处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:存储元件;具有第一电阻状态的参考元件,用于生成用来判定所述存储元件中保持的值的参考电位;以及具有第二电阻状态的参考元件,用于生成所述参考电位,所述参考元件在所述第二电阻状态的电阻值高于所述第一电阻状态的电阻值,并且所述半导体存储装置具有当生成所述参考电位时所述第一电阻状态的参考元件的数量更多的构造。
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