[发明专利]RF功率电子装置的冷却系统在审
| 申请号： | 201880012305.0 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110301039A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 苏达卡尔·戈帕拉克里希南;彼得·雷蒙;约翰·哈罗夫;约翰·多尔蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种冷却装置。提供了至少一个功率电子部件。流体密封外壳围绕至少一个功率电子部件。惰性介电流体至少部分地填充流体密封容器并且与至少一个功率电子部件接触。 | ||
| 搜索关键词： | 功率电子 流体密封外壳 部件接触 电子装置 介电流体 冷却系统 冷却装置 密封容器 填充流体 | ||
【主权项】：
1.一种冷却装置，其包括：至少一个功率电子部件；围绕所述至少一个功率电子部件的流体密封外壳；和惰性介电流体，其至少部分地填充所述流体密封容器并与所述至少一个功率电子部件接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
