[发明专利]RF功率电子装置的冷却系统在审
| 申请号： | 201880012305.0 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110301039A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 苏达卡尔·戈帕拉克里希南;彼得·雷蒙;约翰·哈罗夫;约翰·多尔蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率电子 流体密封外壳 部件接触 电子装置 介电流体 冷却系统 冷却装置 密封容器 填充流体 | ||
1.一种冷却装置，其包括：
至少一个功率电子部件；
围绕所述至少一个功率电子部件的流体密封外壳；和
惰性介电流体，其至少部分地填充所述流体密封容器并与所述至少一个功率电子部件接触。
2.根据权利要求1所述的冷却装置，其还包括，
与所述惰性介电流体流体连接的入口流体连接件；
与所述惰性介电流体流体连接的出口流体连接件；
流体连接在所述流体入口和所述流体出口之间的泵。
3.根据权利要求2所述的冷却装置，其还包括温度传感器，所述温度传感器热连接到所述惰性介电流体以测量所述惰性介电流体的温度。
4.根据权利要求3所述的冷却装置，其中所述泵是无颗粒泵。
5.根据权利要求4所述的冷却装置，其中，所述惰性介电流体是氟化物流体。
6.根据权利要求5所述的冷却装置，其中，所述惰性介电流体不含氧。
7.根据权利要求6所述的冷却装置，其中，所述至少一个功率电子部件是用于接收至少100瓦特的功率的电子部件。
8.根据权利要求6所述的冷却装置，其中，所述至少一个功率电子部件用于ESC、基座加热器、半导体处理室加热和其他相邻设备，并且用于接收至少100瓦的功率。
9.根据权利要求2所述的冷却装置，其中所述泵在所述至少一个功率电子部件处以至少0.31m/s的速度提供流体流。
10.根据权利要求2所述的冷却装置，其中所述泵提供围绕所述至少一个功率电子部件流动的湍流流体。
11.根据权利要求1所述的冷却装置，其还包括与所述惰性介电流体热接触的热交换器。
12.根据权利要求1所述的冷却装置，其中，所述惰性介电流体是氟化物流体。
13.根据权利要求1所述的冷却装置，其中所述惰性介电流体不含氧。
14.根据权利要求1所述的冷却装置，其中，所述至少一个功率电子部件是用于接收至少100瓦特的功率的电子部件。
15.根据权利要求1所述的冷却装置，其中，所述至少一个功率电子部件在高于90℃的操作温度下操作。
16.一种用于处理衬底的设备，其包括：
处理室；
用于在所述处理室内支撑衬底的衬底支撑件；
气体源；
流体连接在所述气体源和所述处理室之间的气体入口；
用于向所述处理室内提供RF功率的电源，其包括：
用于提供RF功率的RF功率电子部件；和
用于冷却所述RF功率电子部件的冷却系统，其包括：
围绕所述RF功率电子部件的冷却室；和
用于在所述冷却室内循环冷却剂的泵。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述泵提供围绕所述RF功率电子部件流动的湍流流体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880012305.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于缺陷材料分类的系统及方法
- 下一篇：附有载体箔的超薄铜箔
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
