[发明专利]RF功率电子装置的冷却系统

说明书

提供了一种冷却装置。提供了至少一个功率电子部件。流体密封外壳围绕至少一个功率电子部件。惰性介电流体至少部分地填充流体密封容器并且与至少一个功率电子部件接触。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年2月16日提交的美国申请No.15/435,178的优先权利益，其通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本公开涉及一种在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本公开涉及用于等离子体或非等离子体处理半导体器件的系统。

背景技术

在形成半导体器件时，叠层在等离子体处理室中经受处理。这种室使用RF功率发生器来产生和维持等离子体。

发明内容

为了实现上述目的并根据本公开的目的，提供了一种冷却装置。提供了至少一个功率电子部件。流体密封外壳(a fluid tight enclosure)围绕至少一个功率电子部件。惰性介电流体至少部分地填充流体密封容器并且与至少一个功率电子部件接触。

在另一种实现形式中，提供了一种用于处理衬底的装置。提供处理室。衬底支撑件支撑处理室内的衬底。提供气体源。气体入口流体连接在气体源和处理室之间。电源用于向所述处理室内提供RF功率，该电源包括：用于提供RF功率的RF功率电子部件和用于冷却所述RF功率电子部件的冷却系统，该冷却系统包括围绕所述RF功率电子部件的冷却室和用于在所述冷却室内循环冷却剂的泵。

本发明的这些特征和其它特征将在下面在本发明的详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开，并且附图中相同的附图标记表示相似的元件，其中：

图1是可以在实施方案中使用的等离子体处理室的示意图。

图2是电源的更详细视图。

图3是另一实施方案中的电源的更详细视图。

图4是另一实施方案中的电源的更详细视图。

具体实施方式

现在将参考附图中所示的几个优选实施方案来详细描述本发明。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本发明可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其他情况下，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构，以免不必要地使本发明不清楚。