[发明专利]一种利用热控元件进行ESC温度估算的虚拟计量方法有效
申请号: | 201880007951.8 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN110199383B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 张涛;约格·约瑟·扎尼诺维什;佛瑞德·埃格利 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;C23C16/455;H01L21/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于衬底处理系统中的衬底支撑件的温度控制器包括:存储第一模型的存储器,所述第一模型将布置在所述衬底支撑件中的多个第一热控制元件(TCE)的温度和所述衬底支撑件的第一温度响应相关联。所述第一温度响应对应于所述衬底支撑件的表面上的位置。温度估算模块计算所述第一TCE的电阻,基于所计算出的所述电阻确定所述第一TCE的所述温度,以及使用所存储的所述第一模型和所确定的所述第一TCE的所述温度估算所述衬底支撑件的实际温度响应。所述温度控制器被配置为基于所述衬底支撑件的所述实际温度响应来控制所述第一TCE。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 元件 进行 esc 温度 估算 虚拟 计量 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于衬底处理系统中的衬底支撑件的温度控制器,所述温度控制器包括:存储第一模型的存储器,所述第一模型将(i)布置在所述衬底支撑件中的多个第一热控制元件(TCE)的温度和(ii)所述衬底支撑件的第一温度响应相关联,其中所述第一温度响应对应于所述衬底支撑件的表面上的位置;和温度估算模块,其(i)计算所述第一TCE的电阻,(ii)基于所计算出的所述电阻确定所述第一TCE的所述温度,以及(iii)使用所存储的所述第一模型和所确定的所述第一TCE的所述温度估算所述衬底支撑件的实际温度响应,其中所述温度控制器被配置为基于所述衬底支撑件的所述实际温度响应来控制所述第一TCE。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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