[发明专利]三维存储器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201880005575.9 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110140213B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 朱继锋;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦;S·S-N·杨;S·W·杨 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/1157;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件(200)及其制作方法。NAND存储器件(200)包括衬底(202)、在衬底(202)上的多个NAND串(230)、在NAND串(230)上的一或多个外围器件、在周边组件上方的单晶硅层、以及在外围器件与NAND串(230)之间的一个或多个互连层。NAND存储器件(200)包括键合接口(219)，阵列互连层与外围互连层在所述接口处接触。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的多个NAND串；在所述多个NAND串上方的一个或多个外围器件；在所述一个或多个外围器件上方的单晶硅层；以及在所述一个或多个外围器件与所述多个NAND串之间的一个或多个互连层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
