[发明专利]三维存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种NAND存储器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的多个NAND串；

在所述多个NAND串上方的一个或多个外围器件；

在所述一个或多个外围器件上方的单晶硅层；

在所述一个或多个外围器件与所述多个NAND串之间的一个或多个第一互连层；以及

在所述单晶硅层上方的第二互连层。

2.根据权利要求1所述的NAND存储器件，其中，所述一个或多个外围器件包括一个或多个MOSFET器件。

3.根据权利要求1或2所述的NAND存储器件，还包括导体/介电质交替堆叠，其中，所述NAND串中的每个NAND串包括：

垂直延伸贯穿所述导体/介电质交替堆叠的半导体沟道；

在所述导体/介电质交替堆叠与所述半导体沟道之间的穿隧层；以及

在所述穿隧层与所述导体/介电质交替堆叠之间的储存层。

4.根据权利要求3所述的NAND存储器件，还包括第一触点，其中，所述第一触点垂直延伸贯穿所述导体/介电质交替堆叠，并且包括与所述衬底相接触的下端。

5.根据权利要求1所述的NAND存储器件，其中，所述第二互连层包括形成在一个或多个介电质层中的一层或多层的导体层。

6.根据权利要求1所述的NAND存储器件，其中，所述多个NAND串包括在另一NAND串上方的NAND串。

7.根据权利要求6所述的NAND存储器件，其中，所述NAND串是通过导体电连接到所述另一NAND串的。

8.根据权利要求1所述的NAND存储器件，还包括贯穿硅触点，其中所述贯穿硅触点垂直延伸贯穿所述单晶硅层，并且其中，所述贯穿硅触点在所述贯穿硅触点的一端上与所述一个或多个第一互连层中的互连层电连接。

9.一种用于形成NAND存储器件的方法，包括：

在第一衬底上形成多个NAND串；

在第二衬底上形成一个或多个外围器件；

将所述一个或多个外围器件放置在所述多个NAND串上方，其中，所述第二衬底位于所述一个或多个外围器件上方；

连结所述多个NAND串和所述一个或多个外围器件；

薄化所述第二衬底，以使经薄化的第二衬底用作在所述多个外围器件上方的单晶硅层；以及

在所述单晶硅层上形成BEOL互连层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括形成多个第一触点，其中，所述多个第一触点中的每个第一触点垂直延伸，并且包括与所述第一衬底相接触的一端。

11.根据权利要求9或10所述的方法，还包括：在所述连结所述多个NAND串和所述一个或多个外围器件之前，形成针对所述多个NAND串的第一互连层。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述连结所述多个NAND串和所述一个或多个外围器件之前，形成针对所述一个或多个外围器件的第二互连层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连结包括经由热处理进行连结。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连结包括经由等离子处理进行连结。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连结包括经由湿工艺处理进行连结。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述NAND串包括在所述第一衬底上形成导体/介电质交替堆叠。