[发明专利]磷化铟单结晶体和磷化铟单结晶衬底有效
| 申请号： | 201880005481.1 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110114519B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 柳泽拓弥;鸿池一晓;桥尾克司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×10 |
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| 搜索关键词： | 磷化 结晶体 结晶 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，所述磷化铟单结晶体包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm。
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