[发明专利]磷化铟单结晶体和磷化铟单结晶衬底

权利要求书

1.一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×10¹⁶个原子·cm^-3的氧浓度，

所述磷化铟单结晶体包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，所述磷化铟单结晶体的位错密度为2500cm^-2～3500cm^-2。

2.一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×10¹⁶个原子·cm^-3的氧浓度，

所述磷化铟单结晶体包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于100mm且小于或等于150mm。

3.一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×10¹⁶个原子·cm^-3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，所述磷化铟单结晶衬底的位错密度为2500cm^-2～3500cm^-2。

4.一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×10¹⁶个原子·cm^-3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于100mm且小于或等于150mm，所述磷化铟单结晶衬底的位错密度为2500cm^-2～3500cm^-2。

5.一种磷化铟单结晶衬底，其通过如下得到：将根据权利要求1或2所述的磷化铟单结晶体在适当规定的方向上进行切片，从而得到在适当规定的平面方向上具有主表面的InP单结晶衬底，其中

所述磷化铟单结晶衬底的氧浓度小于1×10¹⁶个原子·cm^-3，

所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm。