[发明专利]磷化铟单结晶体和磷化铟单结晶衬底

说明书

本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×10¹⁶个原子·cm^‑3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×10¹⁶个原子·cm^‑3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。

技术领域

本发明涉及磷化铟单结晶体和磷化铟单结晶衬底。本申请要求基于2017年7月4日提交的国际申请PCT/JP2017/024460的优先权，通过参考将其全部内容并入本文中。

背景技术

已经将诸如磷化铟衬底的化合物半导体衬底适当用作半导体器件的衬底。需要开发一种化合物半导体衬底，在所述化合物半导体衬底上能够生长高质量的外延层以形成具有高特性的半导体器件。

日本特开2002-114600号公报(专利文献1)公开了一种InP(磷化铟)单结晶衬底，所述衬底具有在1×10¹⁷个原子/cm³～1×10¹⁸个原子/cm³范围内的氧原子浓度以抑制层叠在InP衬底上的外延层中的小丘(hillock)(以突起的形式出现在外延层表面上的异常生长；这同样适用于下面的描述)的出现。

此外，为了通过降低衬底的杂质元素浓度并在其上生长高质量的外延层来形成具有高特性的半导体器件，日本特表2016-519642号公报(专利文献2)公开了含有氧的III-V族半导体衬底，其中通过供应与氧具有高化学反应性的材料能够控制氧浓度的水平，并且将氧浓度控制在1.2×10¹⁶～6×10¹⁷个原子·cm^-3的范围内。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本特开2002-114600号公报

专利文献2：日本特表2016-519642号公报

发明内容

根据本发明的磷化铟单结晶体具有小于1×10¹⁶个原子·cm^-3的氧浓度，并且包括具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。

根据本发明的磷化铟单结晶衬底具有小于1×10¹⁶个原子·cm^-3的氧浓度，其中磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。

附图说明

图1是显示本发明中的磷化铟单结晶体的示例性制造方法和制造装置的示意性横截面图。

图2是显示本发明中的磷化铟单结晶体的制造方法和制造装置中使用的示例性封闭板的示意性平面图。

图3是显示磷化铟单结晶体的示例性典型制造方法和制造装置的示意性横截面图。

具体实施方式

[本发明要解决的问题]