[发明专利]电熔丝及其制造方法、存储单元有效
| 申请号： | 201880001204.3 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111095546B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王文轩;沈健;王红超 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种电熔丝及其制造方法、存储单元，方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括预设有源区；在半导体衬底上形成隔离区，其中，所述隔离区与所述预设有源区之间具有高度差并通过至少一侧壁相连；在所述预设有源区上形成阴电极和阳电极；以及在所述侧壁上形成用于连接所述阴电极和阳电极的熔断体，使得熔断体的线宽脱离半导体工艺的极限线宽限制，实现电熔丝的实际线宽可以小于半导体工艺的极限线宽，尤其在同一半导体工艺平台下摆脱其极限线宽的限制从而实现较小的电熔丝实际线宽，从而在熔断时需要的熔断电流较小，进一步地，作为其控制单元的晶体管结构也较小，从而减小了单一存储单元所占面积，提高了存储器的存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 及其 制造 方法 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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