[发明专利]双面电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 201880001021.1 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111615750B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陆斌;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/41;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 韩狄;毛威 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及双面电容器及其制造方法。该双面电容器包括：在SOI衬底的两个表面刻蚀深度未到达中间绝缘层的沟槽(105,106)以及深度超过中间绝缘层的沟槽结构(107,108)；在沟槽(105,106)以及沟槽(107,108)表面依次沉积绝缘电介质薄膜和导电材料，其中，需要去除沟槽(107,108)底部绝缘材料，在沟槽(107,108)中填充导电材料成为导电通道。SOI衬底的上层导电通道与上层绝缘且与下层导通；下层导电通道与下层绝缘且与上层导通。因此，本申请实施例的双面电容器不仅避免了刻蚀贯穿衬底的沟槽，使得整个结构机械强度更好，而且利用了SOI晶圆本身的衬底电容，从而电容更大。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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