[实用新型]双有源区型快速整流二极管有效
| 申请号： | 201822254256.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209561416U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及双有源区型快速整流二极管，硅晶片尺寸为2.55mm×2.55mm，上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环。本实用新型在小尺寸的硅晶片上设置两个有源区，两个有源区共用阴极，每个有源区各自形成一个PN结及两个环形结构，形成的二极管结构反向恢复时间短，开关特性好，适用于照明用交换式电源。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 高掺杂 衬底 快速整流二极管 本实用新型 环形结构 低掺杂 发射区 硅晶片 基区 二极管结构 交换式电源 圆角长方体 反向恢复 共用阴极 开关特性 照明用 基环 | ||
【主权项】：
1.一种双有源区型快速整流二极管，其特征在于，硅晶片尺寸为2.55mm×2.55mm，上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环。
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