[实用新型]双有源区型快速整流二极管有效

申请号：	201822254256.1	申请日：	2018-12-29
公开（公告）号：	CN209561416U	公开（公告）日：	2019-10-29
发明（设计）人：	崔峰敏	申请（专利权）人：	傲迪特半导体（南京）有限公司
主分类号：	H01L29/861	分类号：	H01L29/861;H01L29/06
代理公司：	江苏致邦律师事务所 32230	代理人：	徐蓓;尹妍
地址：	210034 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	源区高掺杂衬底快速整流二极管本实用新型环形结构低掺杂发射区硅晶片基区二极管结构交换式电源圆角长方体反向恢复共用阴极开关特性照明用基环
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【说明书】：

本实用新型涉及双有源区型快速整流二极管，硅晶片尺寸为2.55mm×2.55mm，上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环。本实用新型在小尺寸的硅晶片上设置两个有源区，两个有源区共用阴极，每个有源区各自形成一个PN结及两个环形结构，形成的二极管结构反向恢复时间短，开关特性好，适用于照明用交换式电源。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件，特别涉及双有源区型快速整流二极管。

背景技术

开关电源用的整流二极管要求开关特性好、反向恢复时间，尤其对于交换式电源的整流二极管，需选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管或选择快恢复二极管。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种双有源区型快速整流二极管。

为实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种双有源区型快速整流二极管，硅晶片尺寸为2.55mm×2.55mm，上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环。

作为本实用新型的进一步改进，所述每个有源区尺寸为965μm×2210μm，两个有源区平行均匀排布。

作为本实用新型的进一步改进，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管CNT层。

作为本实用新型的进一步改进，所述二极管硅晶片厚度为250±15μm，高掺杂P型硅基区深度为60μm，所述高掺杂N型硅发射区深度为12μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述低掺杂的N型硅衬底电阻率为30Ω·cm。

作为本实用新型的进一步改进，所述环形结构曲率为250μm，外环高掺杂N型硅发射区宽度45μm，内环硅基环宽度15μm。进一步的，所述外环高掺杂N型硅发射区、内环硅基环、高掺杂P型硅基区间的横向距离依次为85μm、25μm。

作为本实用新型的进一步改进，低掺杂N型硅衬底上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极；所述两个有源区共阴极。进一步的，电极外设有保护膜。

作为本实用新型的进一步改进，所述阳极金属Al的厚度为4μm，所述阴极金属Ag的厚度为0.78μm。

本实用新型在小尺寸的硅晶片上设置两个有源区，两个有源区共用阴极，每个有源区各自形成一个PN结及两个环形结构，形成的二极管结构反向恢复时间短，开关特性好，适用于照明用交换式电源。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的芯片结构示意图；

图2为本实用新型实施例1的一个有源区环形结构示意图；

图中数字单位为μm。