[实用新型]半导体器件

摘要

本公开提供一种半导体器件，其中该半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中岛状图案的上表面靠近沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在岛状图案的上表面除转角区之外的区域；保护层，覆盖在沟槽的侧壁、底面、转角区以及图案化衬氧化层的侧边表面，其中保护层从沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；隔离结构，位于沟槽内。本公开保护层从沟槽的侧壁延伸到岛状图案的上表面而形成转角，以便转角区的岛状图案可以得到保护层的保护，避免在后续工艺中被氧化掏空造成半导体器件通道的载流子下降，抑制岛状图案边界效应，并能够为后续工艺提供面积更大的接触着陆区。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在所述岛状图案的上表面除所述转角区之外的区域；保护层，覆盖在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区以及所述图案化衬氧化层的侧边表面，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；隔离结构，位于所述沟槽内。