[实用新型]半导体器件

说明书

本公开提供一种半导体器件，其中该半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中岛状图案的上表面靠近沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在岛状图案的上表面除转角区之外的区域；保护层，覆盖在沟槽的侧壁、底面、转角区以及图案化衬氧化层的侧边表面，其中保护层从沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；隔离结构，位于沟槽内。本公开保护层从沟槽的侧壁延伸到岛状图案的上表面而形成转角，以便转角区的岛状图案可以得到保护层的保护，避免在后续工艺中被氧化掏空造成半导体器件通道的载流子下降，抑制岛状图案边界效应，并能够为后续工艺提供面积更大的接触着陆区。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体的有源区(Active Area，简称AA区)是由一层氮化硅掩膜即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的区域。

在目前常用的加工工艺中，通过蚀刻形成沟槽定义出有源区，然后在沟槽的侧壁形成衬垫(liner)来保护有源区侧壁，最后再在沟槽中填入填充材料形成浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，简称STI)。衬垫用以避免隔离结构的前驱物在进行氧化定型时会不慎造成有源区在侧壁和上表面形成的转角交界处，以及隔离结构STI靠近交界处会被氧化掉，前驱物可以是采用旋转涂覆(Spin On Dielectric，简称SOD)或流动式化学气相沉积(Flowable Chemical Vapor Deposition，即Flowable CVD，简称FCVD，属于第四代CVD技术)形成。但是有源区的转角交界处以及隔离结构靠近转角交界处的部分容易受到氧化反应影响，在后续移除有源区上面的一层氧化物时被蚀刻掉，从而在有源区的转角处和隔离结构靠近转角交界处的部分形成缺口。

因此，现有技术的技术方案还存在有待改进之处。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种半导体器件，用于至少在一定程度上克服由于相关技术中有源区在转角处形成缺角的问题。

根据本公开的一个方面，还提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在所述岛状图案的上表面除所述转角区之外的区域；保护层，覆盖在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区以及所述图案化衬氧化层的侧边表面，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；隔离结构，位于所述沟槽内。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括：

图案化氮化硅层，覆盖在所述图案化衬氧化层之上，且所述图案化氮化硅层的正投影的面积小于或等于所述图案化衬氧化层的正投影的面积；

所述保护层还覆盖所述图案化氮化硅层的表面。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括：

图案化氮化硅层，覆盖在所述图案化衬氧化层之上，且所述图案化氮化硅层的正投影的面积大于所述图案化衬氧化层的正投影的面积；

所述保护层还覆盖所述氮化硅层的表面。

在本公开的一种示例性实施例中，所述转角的角度大小的范围为90～120度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述转角的形状为直角、钝角或圆滑的直角或圆滑的钝角。