[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821896656.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN208861965U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;林鼎佑 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转角 岛状图案 半导体器件 保护层 上表面 侧壁延伸 后续工艺 图案化衬 氧化层 衬底 半导体 载流子 边界效应 侧边表面 隔离结构 交替间隔 着陆区 侧壁 底面 覆盖 掏空 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区；
图案化衬氧化层，覆盖在所述岛状图案的上表面除所述转角区之外的区域；
保护层，覆盖在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区以及所述图案化衬氧化层的侧边表面，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；
隔离结构，位于所述沟槽内。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
图案化氮化硅层，覆盖在所述图案化衬氧化层之上，且所述图案化氮化硅层的正投影的面积小于或等于所述图案化衬氧化层的正投影的面积；
所述保护层还覆盖所述图案化氮化硅层的表面。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
图案化氮化硅层，覆盖在所述图案化衬氧化层之上，且所述图案化氮化硅层的正投影的面积大于所述图案化衬氧化层的正投影的面积；
所述保护层还覆盖所述氮化硅层的表面。
4.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述转角的角度大小的范围为90～120度。
5.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述转角的形状为直角、钝角或圆滑的直角或圆滑的钝角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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