[实用新型]元件单元有效
| 申请号： | 201821870784.3 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN209282184U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 詹富豪;林鑫利 | 申请（专利权）人： | 昱鑫制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种元件单元，其包括基板以及设置在基板的第一表面上的至少一功能层。基板与所述至少一功能层具有至少一切割侧。在所述至少一切割侧处，所述至少一功能层的侧壁包括至少一连续曲面、斜面或纵面，基板的侧壁包括至少一连续曲面、凹陷部终点以及纵面。在基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面之间有交界。凹陷部终点位于基板的所述至少一连续曲面与基板的纵面之间。凹陷部终点与第一表面的最小距离小于基板的厚度的二分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 连续曲面 功能层 纵面 凹陷部 第一表面 元件单元 侧壁 本实用新型 最小距离 交界 | ||
【主权项】：
1.一种元件单元，其特征在于，包括：基板；以及至少一功能层，设置在所述基板的第一表面上，其中所述基板与所述至少一功能层具有至少一切割侧，在所述至少一切割侧处，所述至少一功能层的侧壁包括至少一连续曲面、斜面或纵面，所述基板的侧壁包括至少一连续曲面、凹陷部终点以及纵面，在所述基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面之间有交界，且所述凹陷部终点位于所述基板的所述至少一连续曲面与所述基板的所述纵面之间，其中所述凹陷部终点与所述第一表面的最小距离小于所述基板的厚度的二分之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
