[实用新型]元件单元

说明书

本实用新型提供一种元件单元，其包括基板以及设置在基板的第一表面上的至少一功能层。基板与所述至少一功能层具有至少一切割侧。在所述至少一切割侧处，所述至少一功能层的侧壁包括至少一连续曲面、斜面或纵面，基板的侧壁包括至少一连续曲面、凹陷部终点以及纵面。在基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面之间有交界。凹陷部终点位于基板的所述至少一连续曲面与基板的纵面之间。凹陷部终点与第一表面的最小距离小于基板的厚度的二分之一。

技术领域

本实用新型涉及一种元件单元。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Level Package,WLP)技术是指在整片晶圆上进行封装之后，再将晶圆切割成个别的芯片(chip)。与传统芯片封装方式相比，晶圆级封装技术在封装后的芯片尺寸的增加面积为晶粒(die)原来大小的20％以内。因此，晶圆级封装技术可明显缩小封装后尺寸，符合行动信息产品等对高密度积体空间的需求。

在现有的晶圆级封装技术中，主要是利用刀具将晶圆切割成个别的芯片。为了在切割过程中避免刀具损坏晶粒或作用区(Function Area)，通常会在相邻的晶粒之间预留切割通道。然而，切割通道会占据配置晶粒的面积，因此切割通道的存在导致晶粒可配置数量的减少，进而增加芯片的制作成本。此外，在刀具切割之时，需要以水或清洁液冲洗芯片。这个冲洗的步骤除了会产生工业废水，还容易导致芯片上的元件脱离，进而降低良率。

实用新型内容

本实用新型提供一种元件单元。

本实用新型的一实施例提供一种元件单元，其包括基板以及设置在基板的第一表面上的至少一功能层。基板与所述至少一功能层具有至少一切割侧。在所述至少一切割侧处，所述至少一功能层的侧壁包括连续曲面、斜面或纵面，且基板的侧壁包括连续曲面、凹陷部终点与纵面。在基板的连续曲面与所述至少一功能层的连续曲面、斜面或纵面之间有交界，且凹陷部终点位于基板的连续曲面与基板的纵面之间。凹陷部终点与第一表面的最小距离小于基板的厚度的二分之一。

根据本实用新型的一实施例，所述元件单元包括半导体元件或光学元件。

根据本实用新型的一实施例，所述基板包括硅基板、氧化铝基板、氮化铝基板、蓝宝石基板、砷化镓基板、碳化硅基板、碳基板、印刷电路板、可挠式印刷电路板、陶瓷基板、环氧树脂模制化合物、表面黏着型元件或塑胶晶粒承载封装。

根据本实用新型的一实施例，所述基板是经掺杂的基板。

根据本实用新型的一实施例，所述至少一功能层包括光阻层、有机绝缘层、无机绝缘层或线路层。

根据本实用新型的一实施例，在所述至少一切割侧处，所述基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面具有不同的弧度。

根据本实用新型的一实施例，所述交界是连接于所述基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面之间。

根据本实用新型的一实施例，所述第一表面被所述至少一功能层暴露出来的部分构成所述交界。

根据本实用新型的一实施例，所述元件单元包括多个功能层重叠设置在所述第一表面上，且所述多个功能层的每一个包括所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面。

根据本实用新型的一实施例，所述至少一功能层包括半球状的导光元件，所述导光元件的直径小于所述元件单元的宽度，且位于所述元件单元的任一个角落的所述凹陷部终点的深度大于或等于位于所述元件单元的任一个侧边的所述凹陷部终点的深度。

根据本实用新型的一实施例，所述至少一功能层包括半球状的导光元件，所述导光元件的直径大于所述元件单元的宽度，所述至少一功能层在所述至少一切割侧处包括斜面或纵面，且所述凹陷部终点的深度由所述至少一切割侧的中心往两侧增加。