[实用新型]碳化硅长晶用坩埚有效

专利信息
申请号: 201821809442.0 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN209144318U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 代理人: 吴绍群
地址: 250100 山东省济南市高新区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本申请公开了一种碳化硅长晶用坩埚。该坩埚包括腔室、形成该腔室的腔室壁和与该腔室壁连接的用于密封该腔室的盖子,该腔室壁包括内外两层,分别为位于内层的第一层壁,和位于外层的第二层壁,该第一层壁的外壁和外底与该第二层壁的内壁和内底之间形成具有一定宽度的空腔;该第一层壁的侧壁上设有贯穿该第一层壁的第一开孔;该第二层壁的侧壁上设有贯穿该第二层壁的第二开孔。本实用新型可以使腔室内物料区域的温场更加稳定有序,为各种气氛的传输提供了通路,消除腔室底部边角由于热量集中造成的粉料碳化,从而提高碳化硅单晶连续生长质量,提高碳化硅粉料质量及合成效率,有效降低单晶中的杂质含量及缺陷,最终显著提高碳化硅单晶质量。
搜索关键词: 第一层 腔室 腔室壁 坩埚 碳化硅单晶 碳化硅 侧壁 本实用新型 碳化硅粉料 传输提供 第二开孔 第一开孔 内外两层 热量集中 室内物料 盖子 贯穿 边角 单晶 粉料 空腔 内壁 内层 碳化 外壁 外底 温场 密封 合成 生长 申请
【主权项】:
1.碳化硅长晶用坩埚,包括腔室、形成所述腔室的腔室壁和与所述腔室壁连接的用于密封所述腔室的盖子,其特征在于:所述腔室壁包括内外两层,分别为位于内层的第一层壁,和位于外层的第二层壁,所述第一层壁的外壁和外底与所述第二层壁的内壁和内底之间形成具有一定宽度的空腔;所述第一层壁的侧壁上设有贯穿所述第一层壁的第一开孔;所述第二层壁的侧壁上设有贯穿所述第二层壁的第二开孔。
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