[实用新型]一种氧化铝膜制备装置

摘要

本实用新型公开了一种能够提高硅片镀膜质量和效率的氧化铝膜制备装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，进气口上连接有用于通入制程气体的导气管，排气口上连接有真空泵，真空泵的出口连接有尾排管，通过在进气口与进气主管之间设置进气布气装置，排气口与排气主管之间设置排气布气装置，这样从进气布气和排气布气两方面同时控制制程气体的进入和流出，可以最大限度的保证每个硅片附近的混合制程气体的浓度和量都近似一致，这样每个硅片表面形成的氧化铝膜厚度都会更加均匀，可以大大提高硅片镀膜的质量和效率。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。

主权项

1.一种氧化铝膜制备装置，包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述真空沉积室(2)内设置有进气主管(6)和排气主管(7)，所述进气主管(6)水平设置在石墨舟(3)上方，所述进气主管(6)与进气口(4)连通，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的导气管(8)，所述排气主管(7)水平设置在石墨舟(3)下方，所述排气主管(7)与排气口(5)连通，所述排气口(5)上连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排气口(5)连通，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，其特征在于：所述进气口(4)与进气主管(6)之间设置有进气布气装置(14)，所述排气口(5)与排气主管(7)之间设置有排气布气装置(15)；所述进气布气装置(14)包括M级分气结构，所述M≥2，第一级分气结构包括第一进气管(1401)，所述第一进气管(1401)的前端与进气口(4)相连，第一进气管(1401)的末端连接有第一级分气器(1402)，所述第一级分气器(1402)包括设置在第一进气管(1401)内的第一圆筒(140201)，所述第一圆筒(140201)的外径与第一进气管(1401)的内径相同，所述第一圆筒(140201)内设置有N₁个第一分隔板(140202)，所述N₁≥2，所述N₁个第一分隔板(140202)将第一圆筒(140201)的内部通道分割成N₁个第一子通道(140203)，每个第一子通道(140203)的横截面面积均相同，每个第一子通道(140203)的末端密封连接有一个第二进气管(1403)，第二级分气结构包括设置在第二进气管(1403)的末端的第二级分气器(1404)，所述第二级分气器(1404)包括设置在第二进气管(1403)内的第二圆筒(140401)，所述第二圆筒(140401)的外径与第二进气管(1403)的内径相同，所述第二圆筒(140401)内设置有N₂个第二分隔板(140402)，所述N₂≥2，所述N₂个第二分隔板(140402)将第二圆筒(140401)的内部通道分割成N₂个第二子通道(140403)，每个第二子通道(140403)的横截面面积均相同，每个第二子通道(140403)的末端密封连接有一个第三进气管(1405)，依次类推，第M级分气结构包括设置在第M进气管末端的第M级分气器，所述第M级分气器包括设置在第M进气管内的第M圆筒，所述第M圆筒的外径与第M进气管的内径相同，所述第M圆筒内设置有N_M个第M分隔板，所述N_M≥2，所述N_M个第M分隔板将第M圆筒的内部通道分割成N_M个第M子通道，每个第M子通道的横截面面积均相同，每个第M子通道的末端密封连接有一个第M+1进气管；所述进气主管(6)的两端封闭，进气主管(6)侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔A(1406)和一排通孔B(1407)，所述通孔A(1406)和通孔B(1407)的数量相同，所述通孔A(1406)位于通孔B(1407)上方，且通孔A(1406)和通孔B(1407)的位置上下一一对应，所述通孔A(1406)的数量和第M+1进气管的数量相同，且每个第M+1进气管的末端均与一个通孔A(1406)连通，所述通孔B(1407)朝向石墨舟(3)；所述排气布气装置(15)包括M级引气结构，所述M≥2，第一级引气结构包括第一排气管(1501)，所述第一排气管(1501)的前端与排气口(5)相连，第一排气管(1501)的末端连接有第一级引气器(1502)，所述第一级引气器(1502)包括设置在第一排气管(1501)内的第一筒体(150201)，所述第一筒体(150201)的外径与第一排气管(1501)的内径相同，所述第一筒体(150201)内设置有N₁个第一隔板(150202)，所述N₁≥2，所述N₁个第一隔板(150202)将第一筒体(150201)的内部通道分割成N₁个第一子引气道(150203)，每个第一子引气道(150203)的横截面面积均相同，每个第一子引气道(150203)的末端密封连接有一个第二排气管(1503)，第二级引气结构包括设置在第二排气管(1503)的末端的第二级引气器(1504)，所述第二级引气器(1504)包括设置在第二排气管(1503)内的第二筒体(150401)，所述第二筒体(150401)的外径与第二排气管(1503)的内径相同，所述第二筒体(150401)内设置有N₂个第二隔板(150402)，所述N₂≥2，所述N₂个第二隔板(150402)将第二筒体(150401)的内部引气道分割成N₂个第二子引气道(150403)，每个第二子引气道(150403)的横截面面积均相同，每个第二子引气道(150403)的末端密封连接有一个第三排气管(1505)，依次类推，第M级引气结构包括设置在第M排气管末端的第M级引气器，所述第M级引气器包括设置在第M排气管内的第M筒体，所述第M筒体的外径与第M排气管的内径相同，所述第M筒体内设置有N_M个第M隔板，所述N_M≥2，所述N_M个第M隔板将第M筒体的内部引气道分割成N_M个第M子引气道，每个第M子引气道的横截面面积均相同，每个第M子引气道的末端密封连接有一个第M+1排气管；所述排气主管(7)的两端封闭，排气主管(7)侧壁上沿其轴线方向设置有一排通孔C(1506)和一排通孔D(1507)，所述通孔C(1506)和通孔D(1507)的数量相同，所述通孔C(1506)位于通孔D(1507)上方，且通孔C(1506)和通孔D(1507)的位置上下一一对应，所述通孔D(1507)的数量和第M+1排气管的数量相同，且每个第M+1排气管的末端均与一个通孔D(1507)连通，所述通孔C(1506)朝向石墨舟(3)。