[实用新型]一种半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201821590455.3 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN208722183U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 柯武生 申请(专利权)人: 广西桂芯半导体科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F11/14;G11C7/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 530007 广西壮族自治区南宁市*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 本申请公开了一种半导体存储装置,包括控制单元、缓存单元、存储单元和数据备份单元;控制单元分别与缓存单元和存储单元连接,缓存单元通过数据总线与数据备份单元连接;存储单元包括若干FLASH闪存芯片和FPGA模块,FPGA模块通过I/O引脚分别与若干FLASH闪存芯片进行连接。采用FPGA作为存储器核心,将存储器功能单元化,分步骤解决数据存储效率低下的问题,FPGA将采集到的数据传输到缓冲模块进行暂时缓存,这些数据经过控制单元分析处理后保存至存储单元,完成数据的存储。
搜索关键词: 存储单元 缓存单元 半导体存储装置 数据备份单元 缓存 数据存储效率 存储器功能 存储器核心 分析处理 缓冲模块 数据传输 数据总线 单元化 存储 采集 保存 申请
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于:包括控制单元、缓存单元、存储单元和数据备份单元;控制单元分别与缓存单元和存储单元连接,缓存单元通过数据总线与数据备份单元连接;存储单元包括若干FLASH闪存芯片和FPGA模块,FPGA模块通过I/O引脚分别与若干FLASH闪存芯片进行连接。
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