[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201821526847.3 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN208861942U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 崔水炜;万肇勇;黄登强;吴章平 | 申请(专利权)人: | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马吉兰 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种刻蚀装置,包括:机架、刻蚀槽、多个喷淋装置和输水装置。刻蚀槽设置在机架上并包括:贯穿刻蚀槽、并位于刻蚀槽内部的多个相互平行设置的滚轮,滚轮沿轴向间隔均匀地设有多个凹槽;多个喷淋装置固定在机架上,并且并列设置在刻蚀槽上方,刻蚀槽内具有多个硅片工位,每个硅片工位上对应一个喷淋装置,并且多个喷淋装置所成直线与滚轮平行,每个喷淋装置具有喷水的第一状态及未喷水的第二状态;输水装置为喷淋装置输送液体,并且输水装置单独控制一个喷淋装置处于第一状态或第二状态。本实用新型的技术方案不会产生浪费水的现象,并且各个硅片工位均能被喷淋到位。 | ||
搜索关键词: | 喷淋装置 刻蚀槽 输水装置 硅片 工位 滚轮 本实用新型 刻蚀装置 并列设置 单独控制 平行设置 输送液体 轴向间隔 喷淋 平行 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:机架(10);刻蚀槽,设置在所述机架(10)上并包括:贯穿所述刻蚀槽、并位于所述刻蚀槽内部的多个相互平行设置的滚轮(11),所述滚轮(11)沿轴向间隔均匀地设有多个凹槽;多个喷淋装置,固定在所述机架(10)上,并且并列设置在所述刻蚀槽上方,所述刻蚀槽内具有多个硅片工位,每个所述硅片工位上对应一个所述喷淋装置,并且多个所述喷淋装置所成直线与所述滚轮(11)平行,每个所述喷淋装置具有喷水的第一状态及未喷水的第二状态;输水装置,为所述喷淋装置输送液体,并且所述输水装置单独控制一个所述喷淋装置处于所述第一状态或所述第二状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造