[实用新型]一种刻蚀装置有效
| 申请号： | 201821526847.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208861942U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 崔水炜;万肇勇;黄登强;吴章平 | 申请（专利权）人： | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马吉兰 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷淋装置 刻蚀槽 输水装置 硅片 工位 滚轮 本实用新型 刻蚀装置 并列设置 单独控制 平行设置 输送液体 轴向间隔 喷淋 平行 贯穿 | ||
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：
机架(10)；
刻蚀槽，设置在所述机架(10)上并包括：贯穿所述刻蚀槽、并位于所述刻蚀槽内部的多个相互平行设置的滚轮(11)，所述滚轮(11)沿轴向间隔均匀地设有多个凹槽；
多个喷淋装置，固定在所述机架(10)上，并且并列设置在所述刻蚀槽上方，所述刻蚀槽内具有多个硅片工位，每个所述硅片工位上对应一个所述喷淋装置，并且多个所述喷淋装置所成直线与所述滚轮(11)平行，每个所述喷淋装置具有喷水的第一状态及未喷水的第二状态；
输水装置，为所述喷淋装置输送液体，并且所述输水装置单独控制一个所述喷淋装置处于所述第一状态或所述第二状态。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述输水装置包括：
水箱(21)；
多个进水管(22)，每个所述进水管(22)的一端与所述水箱(21)连通，另一端与一个所述喷淋装置连通；
多个第一控制阀，每个所述第一控制阀设置在一个所述进水管(22)上；
多个水泵(23)，每个所述水泵(23)设置在所述机架(10)上，并与一个所述喷淋装置连通。
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷淋装置包括：设置在所述机架(10)上的连接件(31)和固定在所述连接件(31)上并与所述水泵(23)连通的喷嘴(32)。
4.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述输水装置还包括：PLC控制模块和与所述PLC控制模块电连接的入料检测器，以使喷淋装置处于第一状态或第二状态。
5.根据权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述输水装置还包括与所述PLC控制模块电连接的水位检测器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州昊建自动化系统有限公司，未经苏州昊建自动化系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821526847.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高产能低压扩散设备
- 下一篇：一种电子元件的排列装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
