[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201821526847.3 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN208861942U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 崔水炜;万肇勇;黄登强;吴章平 | 申请(专利权)人: | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马吉兰 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋装置 刻蚀槽 输水装置 硅片 工位 滚轮 本实用新型 刻蚀装置 并列设置 单独控制 平行设置 输送液体 轴向间隔 喷淋 平行 贯穿 | ||
本实用新型提供了一种刻蚀装置,包括:机架、刻蚀槽、多个喷淋装置和输水装置。刻蚀槽设置在机架上并包括:贯穿刻蚀槽、并位于刻蚀槽内部的多个相互平行设置的滚轮,滚轮沿轴向间隔均匀地设有多个凹槽;多个喷淋装置固定在机架上,并且并列设置在刻蚀槽上方,刻蚀槽内具有多个硅片工位,每个硅片工位上对应一个喷淋装置,并且多个喷淋装置所成直线与滚轮平行,每个喷淋装置具有喷水的第一状态及未喷水的第二状态;输水装置为喷淋装置输送液体,并且输水装置单独控制一个喷淋装置处于第一状态或第二状态。本实用新型的技术方案不会产生浪费水的现象,并且各个硅片工位均能被喷淋到位。
技术领域
本实用新型涉及硅片刻蚀技术领域,具体涉及一种刻蚀装置。
背景技术
刻蚀技术是指半导体制造工艺,其中,湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。
现有技术中的刻蚀装置还设置了喷淋装置,以避免出现过刻现象。但是,这种喷淋装置只有一个水泵和与水泵相连的总管,总管到达设备上再由支管进行分流,这样的设置方式会产生如下问题:只要有一个硅片被入料感应器感应到,喷淋装置便开始喷淋,这样便会造成水的浪费;液体通过总管分流到每个硅片工位,靠近总管近的支管由于压力充足,喷淋效果较好,但是两侧的支管由于远离总管便会产生压力不足、喷淋不到位现象。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种刻蚀装置,以解决现有技术中的刻蚀装置的喷淋装置易产生浪费水的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种刻蚀装置,包括:机架、刻蚀槽、多个喷淋装置和输水装置。刻蚀槽设置在机架上并包括:贯穿刻蚀槽、并位于刻蚀槽内部的多个相互平行设置的滚轮,滚轮沿轴向间隔均匀地设有多个凹槽;多个喷淋装置固定在机架上,并且并列设置在刻蚀槽上方,刻蚀槽内具有多个硅片工位,每个硅片工位上对应一个喷淋装置,并且多个喷淋装置所成直线与滚轮平行,每个喷淋装置具有喷水的第一状态及未喷水的第二状态;输水装置为喷淋装置输送液体,并且输水装置单独控制一个喷淋装置处于第一状态或第二状态。
进一步地,输水装置包括:水箱、多个进水管、多个进水管、多个第一控制阀和多个水泵,每个进水管的一端与水箱连通,另一端与一个喷淋装置连通;每个第一控制阀设置在一个进水管上;每个水泵设置在机架上,并与一个喷淋装置连通。
进一步地,喷淋装置包括:设置在机架上的连接件和固定在连接件上并与水泵连通的喷嘴。
进一步地,输水装置还包括:PLC控制模块和与PLC控制模块电连接的入料检测器,以使喷淋装置处于第一状态或第二状态。
进一步地,输水装置还包括与PLC控制模块电连接的水位检测器。
本实用新型技术方案,具有如下优点:在实际工作过程中,滚轮带动硅片运动至喷淋装置下部,如果一个喷淋装置对应的硅片工位上存在硅片,那么这个喷淋装置既处于喷水的第一状态;如果喷淋装置对应的硅片工位上不存在硅片,那么喷淋装置则处于未喷水的第二状态。这种设置方式便可以节约很多水资源,避免了不必要的浪费。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1示出了本实用新型的刻蚀装置的整体结构示意图。
其中,上述附图中的附图标记为:
1、硅片;10、机架;11、滚轮;21、水箱;22、进水管;23、水泵; 31、连接件;32、喷嘴;40、总水管。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造