[实用新型]浅沟槽隔离结构

摘要

本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、第一沟槽、氮化硅层、第二沟槽、衬底氧化层、致密氧化物层及多孔二氧化硅层，其中，第一沟槽位于衬底内；氮化硅层位于第一沟槽的侧壁；第二沟槽位于衬底内，且与第一沟槽相连通；衬底氧化层位于第二沟槽的侧壁及底部；多孔二氧化硅层位于第二沟槽内且多孔二氧化硅层的上表面不高于第二沟槽的上表面；致密氧化物层位于多孔二氧化硅层的上表面，致密氧化物层填满多孔二氧化硅层上方的第二沟槽及第一沟槽，且致密氧化物层的上表面高于衬底的上表面。本实用新型的浅沟槽隔离结构，不仅能够起到良好的隔离效果，且介电常数极大降低，能有效减小寄生电流，降低寄生电容，提升器件性能。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底；第一沟槽，位于所述衬底内；氮化硅层，位于所述第一沟槽的侧壁；第二沟槽，位于所述衬底内，且位于所述第一沟槽的底部，所述第二沟槽与所述第一沟槽相连通；衬底氧化层，位于所述第二沟槽的侧壁及底部；多孔二氧化硅层，位于所述第二沟槽内，所述多孔二氧化硅层的上表面不高于所述第二沟槽的上表面；致密氧化物层，位于所述多孔二氧化硅层的上表面，所述致密氧化物层填满所述多孔二氧化硅层上方的所述第二沟槽及所述第一沟槽，且所述致密氧化物层的上表面高于所述衬底的上表面。