[实用新型]一种带有超结结构的沟槽型VDMOS器件

摘要

本实用新型公开了一种带有超结结构的沟槽型VDMOS器件，涉及半导体技术领域，该沟槽型VDMOS器件在第一导电类型离子的第一外延层上部开设第一类沟槽，第一外延层上设置有第二导电类型离子的第二外延层，第二外延层填满第一类沟槽，第二外延层形成超结结构的同时构成沟槽VDMOS器件的体区；本申请通过优化带有超结结构的沟槽型VDMOS器件的结构，降低了该器件制作时的难度。

主权项

1.一种带有超结结构的沟槽型VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽型VDMOS器件包括：第一导电类型离子的衬底；第一导电类型离子的第一外延层，所述第一外延层设置在所述衬底的上表面；第一类沟槽，位于所述第一外延层的上部；第二导电类型离子的第二外延层，所述第二外延层设置在所述第一外延层的上表面，且所述第二外延层填满所述第一类沟槽；两个第二类沟槽，分别位于所述第一类沟槽的两侧，所述第二类沟槽贯穿所述第二外延层以及第一外延层的上部，且所述第二类沟槽位于所述第一外延层内的部分的刻蚀深度远小于所述第一类沟槽位于所述第一外延层内的部分的刻蚀深度；栅极结构，包括栅极氧化层和多晶硅栅极，所述栅极氧化层位于所述第二类沟槽的内壁，所述多晶硅栅极设置在所述栅极氧化层的表面并填充满所述第二类沟槽；源区，位于所述第二外延层的上部且位于所述第二类沟槽的两侧；介质层，位于所述第二类沟槽的上方，且刻蚀有接触孔；金属层，位于所述VDMOS器件的外表面；其中，所述第一导电类型离子和所述第二导电类型离子中一个为P型离子、另一个为N型离子。