[实用新型]一种基于CSP结构的大浪涌TVS结构有效

专利信息
申请号: 201821332896.3 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN209056487U 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 陆亚斌;吴昊;王成 申请(专利权)人: 傲威半导体无锡有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 代理人: 衣然
地址: 214028 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了大浪涌瞬态电压抑制器技术领域的一种基于CSP结构的大浪涌TVS结构,所述基板载体的顶部设置有P‑EPI区域,所述P‑EPI区域设置有N+区域,所述N+区域的上下两侧均设置有N‑区域,所述P‑EPI区域的右上方和右下方设置有P+区域,所述基板载体的顶部左上、左下、右上和右下位置均设置有焊盘,且右方的两组焊盘设置在P+区域,所述N‑区域和P+区域均开设有接触孔,所述焊盘的外侧均布有金属层,且所述连接部设置在右方两组焊盘中间,CSP结构可以使芯片面积最大化,从而增加TVS的抗浪涌能力,同时可以促使TVS成品(芯片+封装)的成本会大大降低。
搜索关键词: 焊盘 大浪 基板载体 两组 芯片 瞬态电压抑制器 本实用新型 面积最大化 顶部设置 区域设置 上下两侧 右下位置 接触孔 金属层 抗浪涌 均布 封装
【主权项】:
1.一种基于CSP结构的大浪涌TVS结构,包括基板载体(1),其特征在于:所述基板载体(1)的顶部设置有P‑EPI区域(4),所述P‑EPI区域(4)设置有N+区域(2),所述N+区域(2)的上下两侧均设置有N‑区域(3),所述P‑EPI区域(4)的右上方和右下方设置有P+区域(5),所述基板载体(1)的顶部左上、左下、右上和右下位置均设置有焊盘(6),且右方的两组焊盘(6)设置在P+区域(5),所述N‑区域(3)和P+区域(5)均开设有接触孔,所述焊盘(6)的外侧均布有金属层(7),所述P‑EPI区域(4)的右侧设置在连接部(8),且所述连接部(8)设置在右方两组焊盘(6)中间。
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