[实用新型]一种基于CSP结构的大浪涌TVS结构有效
申请号: | 201821332896.3 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN209056487U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 陆亚斌;吴昊;王成 | 申请(专利权)人: | 傲威半导体无锡有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人: | 衣然 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了大浪涌瞬态电压抑制器技术领域的一种基于CSP结构的大浪涌TVS结构,所述基板载体的顶部设置有P‑EPI区域,所述P‑EPI区域设置有N+区域,所述N+区域的上下两侧均设置有N‑区域,所述P‑EPI区域的右上方和右下方设置有P+区域,所述基板载体的顶部左上、左下、右上和右下位置均设置有焊盘,且右方的两组焊盘设置在P+区域,所述N‑区域和P+区域均开设有接触孔,所述焊盘的外侧均布有金属层,且所述连接部设置在右方两组焊盘中间,CSP结构可以使芯片面积最大化,从而增加TVS的抗浪涌能力,同时可以促使TVS成品(芯片+封装)的成本会大大降低。 | ||
搜索关键词: | 焊盘 大浪 基板载体 两组 芯片 瞬态电压抑制器 本实用新型 面积最大化 顶部设置 区域设置 上下两侧 右下位置 接触孔 金属层 抗浪涌 均布 封装 | ||
【主权项】:
1.一种基于CSP结构的大浪涌TVS结构,包括基板载体(1),其特征在于:所述基板载体(1)的顶部设置有P‑EPI区域(4),所述P‑EPI区域(4)设置有N+区域(2),所述N+区域(2)的上下两侧均设置有N‑区域(3),所述P‑EPI区域(4)的右上方和右下方设置有P+区域(5),所述基板载体(1)的顶部左上、左下、右上和右下位置均设置有焊盘(6),且右方的两组焊盘(6)设置在P+区域(5),所述N‑区域(3)和P+区域(5)均开设有接触孔,所述焊盘(6)的外侧均布有金属层(7),所述P‑EPI区域(4)的右侧设置在连接部(8),且所述连接部(8)设置在右方两组焊盘(6)中间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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