[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号: | 201821149284.0 | 申请日: | 2018-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN208548351U | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
| 发明(设计)人: | 韩昌勋 | 申请(专利权)人: | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
| 地址: | 韩国首尔*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 背照式图像传感器包括设置在衬底中的像素区域、布置在衬底的前侧表面上并与像素区域电连接的布线层、设置在衬底的背侧表面上的滤色器层、设置在滤色器层上的微透镜阵列以及被配置为将像素区域彼此电隔离的隔离区域。每个隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。 | ||
| 搜索关键词: | 像素区域 衬底 背照式图像传感器 深沟槽隔离 隔离区域 滤色器层 浅沟槽隔离区域 微透镜阵列 背侧表面 前侧表面 布线层 电隔离 电连接 配置 | ||
【主权项】:
1.背照式图像传感器,包括:像素区域,其设置在衬底中;布线层,其设置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接;滤色器层,其设置在所述衬底的背侧表面上;微透镜阵列,其设置在所述滤色器层上;和隔离区域,其被配置为将所述像素区域彼此电隔离,其中,每个所述隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在所述深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





