[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号: | 201821149284.0 | 申请日: | 2018-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN208548351U | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
| 发明(设计)人: | 韩昌勋 | 申请(专利权)人: | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
| 地址: | 韩国首尔*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素区域 衬底 背照式图像传感器 深沟槽隔离 隔离区域 滤色器层 浅沟槽隔离区域 微透镜阵列 背侧表面 前侧表面 布线层 电隔离 电连接 配置 | ||
1.背照式图像传感器,包括:
像素区域,其设置在衬底中;
布线层,其设置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接;
滤色器层,其设置在所述衬底的背侧表面上;
微透镜阵列,其设置在所述滤色器层上;和
隔离区域,其被配置为将所述像素区域彼此电隔离,
其中,每个所述隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在所述深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述深沟槽隔离区域包括掺杂杂质的多晶硅。
3.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述浅沟槽隔离区域包括氧化硅。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述浅沟槽隔离区域包括衬垫绝缘层和设置在所述衬垫绝缘层上的氧化硅区域。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述深沟槽隔离区域从所述浅沟槽隔离区域延伸到所述衬底的背侧表面。
6.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中每个所述像素区域包括:
电荷累积区域,其设置在所述衬底中;和
前侧钉扎层,其设置在所述衬底的前侧表面和所述电荷累积区域之间。
7.如权利要求6所述的背照式图像传感器,其中每个所述像素区域还包括设置在所述衬底的背侧表面和所述电荷累积区域之间的背侧钉扎层。
8.如权利要求1所述的背照式图像传感器,进一步包括:
抗反射层,其设置在所述衬底的背侧表面上;
阻光图案,其设置在所述抗反射层上并且具有对应于所述像素区域的开口;和
钝化层,其设置在所述抗反射层和所述阻光图案上,
其中,所述滤色器层设置在钝化层上。
9.背照式图像传感器,包括:
像素区域,其设置在衬底中;
布线层,其布置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接;
滤色器层,其设置在所述衬底的背侧表面上;
微透镜阵列,其设置在所述滤色器层上;
隔离区域,其被配置为将所述像素区域彼此电隔离;和
吸杂区域,其从所述隔离区域向所述衬底的背侧表面延伸并且收集所述衬底中的污染物。
10.如权利要求9所述的背照式图像传感器,其中所述吸杂区域包括掺杂杂质的多晶硅。
11.如权利要求9所述的背照式图像传感器,其中所述隔离区域设置在所述衬底的前侧表面部分中,并且所述吸杂区域延伸到所述衬底的背侧表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





