[实用新型]背照式图像传感器有效

专利信息
申请号: 201821149284.0 申请日: 2018-07-19
公开(公告)号: CN208548351U 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 韩昌勋 申请(专利权)人: DBHiTek株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 代理人: 余文娟
地址: 韩国首尔*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素区域 衬底 背照式图像传感器 深沟槽隔离 隔离区域 滤色器层 浅沟槽隔离区域 微透镜阵列 背侧表面 前侧表面 布线层 电隔离 电连接 配置
【权利要求书】:

1.背照式图像传感器,包括:

像素区域,其设置在衬底中;

布线层,其设置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接;

滤色器层,其设置在所述衬底的背侧表面上;

微透镜阵列,其设置在所述滤色器层上;和

隔离区域,其被配置为将所述像素区域彼此电隔离,

其中,每个所述隔离区域包括深沟槽隔离区域和设置在所述深沟槽隔离区域上的浅沟槽隔离区域。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述深沟槽隔离区域包括掺杂杂质的多晶硅。

3.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述浅沟槽隔离区域包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述浅沟槽隔离区域包括衬垫绝缘层和设置在所述衬垫绝缘层上的氧化硅区域。

5.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中所述深沟槽隔离区域从所述浅沟槽隔离区域延伸到所述衬底的背侧表面。

6.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其中每个所述像素区域包括:

电荷累积区域,其设置在所述衬底中;和

前侧钉扎层,其设置在所述衬底的前侧表面和所述电荷累积区域之间。

7.如权利要求6所述的背照式图像传感器,其中每个所述像素区域还包括设置在所述衬底的背侧表面和所述电荷累积区域之间的背侧钉扎层。

8.如权利要求1所述的背照式图像传感器,进一步包括:

抗反射层,其设置在所述衬底的背侧表面上;

阻光图案,其设置在所述抗反射层上并且具有对应于所述像素区域的开口;和

钝化层,其设置在所述抗反射层和所述阻光图案上,

其中,所述滤色器层设置在钝化层上。

9.背照式图像传感器,包括:

像素区域,其设置在衬底中;

布线层,其布置在所述衬底的前侧表面上并与所述像素区域电连接;

滤色器层,其设置在所述衬底的背侧表面上;

微透镜阵列,其设置在所述滤色器层上;

隔离区域,其被配置为将所述像素区域彼此电隔离;和

吸杂区域,其从所述隔离区域向所述衬底的背侧表面延伸并且收集所述衬底中的污染物。

10.如权利要求9所述的背照式图像传感器,其中所述吸杂区域包括掺杂杂质的多晶硅。

11.如权利要求9所述的背照式图像传感器,其中所述隔离区域设置在所述衬底的前侧表面部分中,并且所述吸杂区域延伸到所述衬底的背侧表面。

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