[实用新型]一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体

摘要

本实用新型公开了一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体。翘曲使得晶圆片的中心位置比边缘位置更靠近加热的石墨盘表面，从而造成晶圆片中心位置的温度高于边缘位置，进而影响外延薄膜的均匀性，降低产品良率，现有MOCVD设备暂无有效构造来避免大尺寸晶圆片的热应力翘曲问题。本实用新型公开了一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体，其中：所述反应室为具有侧壁的密闭腔，所述反应室顶部设置有进气装置，所述进气装置包含有气体进气道和下底面。本实用新型的优点在于：采用在反应腔体表面镀有高反射膜或作表面抛光处理的方式，使晶圆片上表面接收到反应室侧壁表面和进气装置表面反射回的热辐射，降低晶圆片中心位置和边缘位置的温度差异，从而提高产品良率。

主权项

1.一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体，包括反应室（1）、进气装置（2）、晶圆片（3）、托盘（4）、加热装置（5）、排气装置（6）；其特征在于：所述反应室（1）为具有侧壁的密闭腔，所述反应室（1）顶部设置有进气装置（2），所述进气装置（2）包含有气体进气道和下底面，反应气体和载气由进气道进入所述反应室（1）中，反应室（1）内设置有托盘（4），托盘（4） 的中心区域直接由转轴（7）支撑，托盘（4）上有放置晶圆片（3）的凹槽，晶圆片（3）放置于凹槽中，托盘（4）下方设置有加热装置（5），用于加热晶圆片（3）达到所需温度，所述反应室（1）侧壁表面和所述进气装置（2）表面镀有高反射膜或作表面抛光处理，以将底部加热装置（5）加热的热辐射反射回托盘（4）和晶圆片（3）表面。