[实用新型]一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体有效

专利信息
申请号: 201821123735.3 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN208532927U 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 武良文 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 330000 江西省南昌市南昌高新技*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 晶圆片 反应腔体 本实用新型 边缘位置 衬底翘曲 进气装置 产品良率 翘曲 进气道 表面抛光处理 反应室侧壁 反应室顶部 表面反射 高反射膜 温度差异 影响外延 表面镀 反应室 均匀性 密闭腔 热辐射 热应力 上表面 石墨盘 下底面 侧壁 薄膜 加热
【权利要求书】:

1.一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,包括反应室(1)、进气装置(2)、晶圆片(3)、托盘(4)、加热装置(5)、排气装置(6);其特征在于:所述反应室(1)为具有侧壁的密闭腔,所述反应室(1)顶部设置有进气装置(2),所述进气装置(2)包含有气体进气道和下底面,反应气体和载气由进气道进入所述反应室(1)中,反应室(1)内设置有托盘(4),托盘(4) 的中心区域直接由转轴(7)支撑,托盘(4)上有放置晶圆片(3)的凹槽,晶圆片(3)放置于凹槽中,托盘(4)下方设置有加热装置(5),用于加热晶圆片(3)达到所需温度,所述反应室(1)侧壁表面和所述进气装置(2)表面镀有高反射膜或作表面抛光处理,以将底部加热装置(5)加热的热辐射反射回托盘(4)和晶圆片(3)表面。

2.根据权利要求1所述的一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,其特征在于:所述高反射膜可以是且不仅限于金属镀膜、无机镀膜或复合材料镀膜等的一种或多种组合。

3.根据权利要求1或2所述的一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,其特征在于:所述高反射膜为金属Ag薄层,所述高反射膜的镀膜方式为真空热蒸发沉积,所述高反射膜厚度为100-2000nm。

4.根据权利要求1所述的一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,其特征在于:所述表面抛光处理可以是部分表面或全部表面抛光的工艺处理,所述表面抛光处理采用物理或化学抛光方式。

5.根据权利要求1或4所述的一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,其特征在于:所述反应室(1)侧壁表面和所述进气装置(2)表面经过抛光处理后的表面粗糙度介于0.01um-1um之间。

6.根据权利要求1所述的一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,其特征在于:所述进气装置(2)的进气道可以是圆孔状、三角型孔状等任意多边型孔状,或者是长条槽状、异型槽状等任意开口形式。

7.根据权利要求1所述的一种防止晶圆片衬底翘曲的反应腔体,其特征在于:所述进气装置(2)表面可以是且不仅限于进气装置(2)下底面、进气道之孔或槽的内外表面等暴露在气体中或与其他部件的连接界面。

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