[实用新型]一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置有效
申请号: | 201821062863.1 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN208346254U | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 陈焕榕;苏育生 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351117 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置,包括放置台、限位卡板、沉积机构和升降加热机构;限位卡板的板面上设置有限位槽孔,放置台的侧壁设置有取放槽道。本技术方案将晶圆通过取放槽道放置于限位槽孔上,此时升降加热机构对限位槽孔上的晶圆进行加热处理,在达到预设定的温度时,再通过沉积机构将导入的化学气体在晶圆上沉积,在沉积结束后,再通过取放槽道将晶圆取出,完成对晶圆的气相沉积。由于限位槽孔可以将晶圆限制放置,因此晶圆不会发生偏移的状况,因此通过正下方的升降加热机构对晶圆进行全方位的加热,加上升降加热机构的加热面积与晶圆相近,所以可以达到对晶圆均匀加热的目的,继而使得在沉积时晶圆的品质较高。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 沉积 加热机构 升降 限位槽孔 槽道 取放 化学气相沉积 加热均匀度 限位卡板 放置台 加热 本实用新型 化学气体 加热处理 均匀加热 气相沉积 预设定 偏移 侧壁 位槽 取出 | ||
【主权项】:
1.一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置,其特征在于:包括放置台、限位卡板、沉积机构和升降加热机构;所述限位卡板设置在放置台的底面上,所述限位卡板的板面上设置有限位槽孔,限位槽孔与限位卡板的侧面设置有用于容置晶圆托板的通道,放置台的侧壁设置有用于晶圆托板进出的取放槽道,升降加热机构设置在放置台的底部内,升降加热机构的顶部的上表面为平面且顶部内设置有加热单元,升降加热机构位于限位卡板的限位槽孔下方,且升降加热机构与限位槽孔相适配设置,沉积机构位于限位卡板的上方,限位槽孔用于对放置在限位槽孔上需要化学气相沉积的晶圆进行限位;沉积机构用于对需要化学气相沉积的晶圆进行沉积;升降加热机构用于对需要化学气相沉积的晶圆进行加热,以及用于对晶圆进行上升移动至沉积机构的沉积区处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福联集成电路有限公司,未经福建省福联集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821062863.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:管式PECVD进气排布结构
- 下一篇:一种高温发黑天然气燃烧炉
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的