[实用新型]集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件

摘要

本申请涉及集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件。集成MOSFET器件形成在具有第一导电类型且为碳化硅的本体中。该本体容纳：具有第二导电类型的第一本体区域；与所述第一本体区域相邻的JFET区域；具有第一导电类型的第一源极区域，延伸到第一本体区域的内部中；具有第二导电类型的注入结构，延伸到JFET区域的内部中。隔离栅极结构部分地位于第一本体区域、第一源极区域和JFET区域上方。第一金属化层在第一表面上方延伸并且与注入结构和JFET区域直接接触地形成JBS二极管。由此提供集成MOSFET器件的改进方案。

主权项

1.一种集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其特征在于，包括：具有第一导电类型的碳化硅的本体，具有第一表面和第二表面；具有第二导电类型的第一本体区域，从所述第一表面延伸到所述本体中；结型场效应晶体管JFET区域，与所述第一本体区域相邻且面向所述第一表面；具有所述第一导电类型的第一源极区域，从所述第一表面延伸到所述第一本体区域中；隔离栅极结构，在所述第一表面上方延伸并且部分地位于所述第一本体区域、所述第一源极区域和所述JFET区域上方；具有所述第二导电类型的注入结构，从所述第一表面延伸到所述JFET区域中；和在所述第一表面上方延伸的第一金属化层，所述第一金属化层与所述注入结构以及所述JFET区域直接接触并形成包括所述注入结构和所述JFET区域的结‑势垒肖特基(JBS)二极管。