[实用新型]一种动态随机存取存储器的晶体管触点结构

摘要

本实用新型提供一种动态随机存取存储器的晶体管触点结构，包括：半导体衬底，具有氧化物隔离槽以及字线结构；隔离层，位于半导体衬底上表面，隔离层包括位线接触沟槽，位线接触沟槽自所述隔离层的上表面向所述半导体衬底延伸，并显露相邻两所述字线结构之间的位线接触区域；触点，自位线接触沟槽的下部向位线接触沟槽的上部延伸，以接合位线接触区域，触点包含至少一侧向沉积子层及触点填充层，其中，侧向沉积子层形成于位线接触沟槽侧壁的底面和侧向沉积子层相对远离于位线接触沟槽侧壁的表面形成为锐角关系，使得侧向沉积子层的表面非垂直倾斜于所述位线接触沟槽底部，触点填充层和侧向沉积子层共同无缝隙的填满位线接触沟槽。

主权项

1.一种动态随机存取存储器的晶体管触点结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括浅沟槽隔离结构以及字线结构；隔离层，位于所述半导体衬底上表面，所述隔离层包括位线接触沟槽，所述位线接触沟槽自所述隔离层的上表面向所述半导体衬底延伸，并显露相邻两所述字线结构之间的位线接触区域；触点，自所述位线接触沟槽的下部向所述位线接触沟槽的上部延伸，以接合所述位线接触区域，所述触点包含至少一侧向沉积子层及触点填充层，其中，所述侧向沉积子层形成于所述位线接触沟槽侧壁的底面和所述侧向沉积子层相对远离于所述位线接触沟槽侧壁的表面形成为锐角关系，使得所述侧向沉积子层的表面非垂直倾斜于所述位线接触沟槽底部，所述触点填充层和所述侧向沉积子层共同无缝隙的填满所述位线接触沟槽。