[实用新型]显示装置有效
| 申请号： | 201820898352.7 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208298833U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 岩崎一晃 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种显示装置，其目的在于实现特性稳定且与漏电极以及源电极的导通的可靠性高的显示装置。显示装置在像素形成有TFT，该TFT在基板上将第一氧化物半导体(16)作为有源层，并在漏电极(14)与源电极(15)之间具有沟道部，该显示装置的特征在于，所述漏电极(14)和所述源电极(15)由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部(bb)，该延伸部(bb)在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更向所述沟道部的沟道长度方向的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体(16)的下表面与所述延伸部(bb)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 漏电极 延伸部 源电极 沟道 氧化物半导体 基底金属 金属 本实用新型 基板上将 像素形成 下表面 导通 覆盖 三层 源层 俯视 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其在各像素形成有TFT，所述TFT在基板上具有第一氧化物半导体、漏电极和源电极，所述显示装置的特征在于，所述漏电极和所述源电极在所述基板上分隔地形成，而且在所述漏电极和所述源电极的上层配置所述第一氧化物半导体，所述漏电极和所述源电极从靠近所述基板一侧起依次由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部，所述延伸部在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更向所述漏电极与所述源电极的分隔部的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体的与所述基板相对置的面与所述延伸部接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器，未经株式会社日本显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820898352.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
