[实用新型]一种半导体晶片的清洗装置有效
| 申请号： | 201820886768.7 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN208298787U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 康凯;刘景亮;陆前军;王子荣 | 申请（专利权）人： | 东莞市中图半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林;杨桂洋 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体晶片的清洗装置，所述装置包括电解槽和反应槽，电解槽内设有阴极金属板和阳极，阴极金属板外套装有隔膜，阳极的上端位于阴极金属板上端的下方，电解槽的底面装接有回流管，该回流管上设有泵体，回流管与反应槽连接，反应槽侧壁设有位于回流管上方溢流孔，该溢流孔装接有溢流管，溢流管的出口端延伸至电解槽上部。本实用新型实现硫酸的循环利用，可以很大程度上的减少硫酸的用量，既能更高效的实现晶片表面清洁的目的，又能有效的减少硫酸用量，还能减少非硫酸的排放，节约成本的同时还环保。 | ||
| 搜索关键词： | 电解槽 回流管 阴极金属板 反应槽 半导体晶片 本实用新型 阳极 清洗装置 上端 溢流管 溢流孔 装接 硫酸 晶片表面 硫酸用量 循环利用 出口端 非硫酸 泵体 侧壁 底面 隔膜 清洁 排放 节约 延伸 环保 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述装置包括电解槽和反应槽，电解槽内设有阴极金属板和阳极，阴极金属板外套装有隔膜，阳极的上端位于阴极金属板上端的下方，电解槽的底面装接有回流管，该回流管上设有泵体，回流管与反应槽连接，反应槽侧壁设有位于回流管上方溢流孔，该溢流孔装接有溢流管，溢流管的出口端延伸至电解槽上部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中图半导体科技有限公司，未经东莞市中图半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820886768.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置
- 下一篇：复合单晶薄膜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
