[实用新型]一种半导体晶片的清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体晶片的清洗装置，所述装置包括电解槽和反应槽，电解槽内设有阴极金属板和阳极，阴极金属板外套装有隔膜，阳极的上端位于阴极金属板上端的下方，电解槽的底面装接有回流管，该回流管上设有泵体，回流管与反应槽连接，反应槽侧壁设有位于回流管上方溢流孔，该溢流孔装接有溢流管，溢流管的出口端延伸至电解槽上部。本实用新型实现硫酸的循环利用，可以很大程度上的减少硫酸的用量，既能更高效的实现晶片表面清洁的目的，又能有效的减少硫酸用量，还能减少非硫酸的排放，节约成本的同时还环保。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体晶片的清洗装置。

背景技术

半导体晶片需要进行清洗工序，以篮宝石衬底为例说明，随着LED制程工艺的日渐成熟、生产成本的不断降低，其应用范围和市场规模也在与日俱增；但LED的外延材料GaN，由于其特殊的理化性质，无法直接进行合成，必须附着于特定的衬底材料进行生长。当下主流的LED衬底材料是单晶蓝宝石衬底，且外延层的生长对图形化蓝宝石表面洁净度存在很高的要求，且图形化过程对蓝宝石平片表面洁净度也存在很高要求，因此，对蓝宝石衬底在其图形化加工过程及外延生长前的表面洁净度的控制必不可少。

目前对蓝宝石衬底进行清洗的方式大都以湿法清洗为主，所用清洗配方主要是通过H₂SO₄溶液和H₂O₂溶液按比例配成SPM溶液。在高温（大于100℃）条件下，硫酸和双氧水会生成卡罗酸，具有很强的脱水性和氧化能力，能破坏有机物的碳氢键，将有机污染物氧化成CO₂和H₂O，达到去除有机物的目的，同时还可将部分金属氧化后溶于清洗液。

但此过程中会消耗溶液中的硫酸根离子（SO₄^2-），且清洗液必须维持较高的温度，硫酸也必须维持在很高的浓度，随着清洗次数的增加，硫酸的浓度会逐渐降低，清洗液的氧化性也会随之降低，清洗能力也会下降；而为了维持清洗效果，需要定期更换清洗溶液，此过程会产生大量的废硫酸。对废弃硫酸的后续处理也会增加工业成本。

此类清洗液的本质是通过浓度控制以及加热等条件让H₂SO₄与H₂O₂反应生成氧化电位更高的氧化物，对圆晶表面的杂质进行氧化，达到清洁表面的目的。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体晶片的清洗装置，实现硫酸的循环利用，可以很大程度上的减少硫酸的用量，既能更高效的实现晶片表面清洁的目的，又能有效的减少硫酸用量，还能减少非硫酸的排放，节约成本的同时还环保。

为了解决上述技术问题，本实用新型采取以下技术方案：

一种半导体晶片的清洗装置，所述装置包括电解槽和反应槽，电解槽内设有阴极金属板和阳极，阴极金属板外套装有隔膜，阳极的上端位于阴极金属板上端的下方，电解槽的底面装接有回流管，该回流管上设有泵体，回流管与反应槽连接，反应槽侧壁设有位于回流管上方溢流孔，该溢流孔装接有溢流管，溢流管的出口端延伸至电解槽上部。

所述回流管与反应槽的底面连接并伸入反应槽中，反应槽内设有与回流管装接的分散管。

所述反应槽的侧壁设有紫外灯。

所述反应槽上还设有槽盖，该槽盖上设有紫外灯。

所述反应槽内或外壁还设有加热器。

所述溢流管的出口端延伸至电解槽的阴极金属板上端的区域。

所述溢流管的出口端还装接有液体分散管路。

所述电解槽内设有覆盖着回流管的过滤组件。

所述溢流管上设有泵。

所述阳极为渡金刚石阳极。