[实用新型]集成电路电容器及半导体器件有效
| 申请号： | 201820872177.4 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN208225876U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种集成电路电容器及半导体器件，在节点接触上形成有第一电极板，在第一电极板上形成有电容层结构以及在电容层结构上形成有第二电极板，电容层结构包括结晶相的电容介质主层、连续设置的多层非结晶相的电容介质子层、以及位于相邻电容介质子层之间及位于电容介质主层与电容介质子层之间的多层电流抑制子层，电容层结构还包括一电流抑制主层，位于电容介质主层与由第一电极板和第二电极板所构成群组的最邻近电极板之间，并且电容介质主层的单层厚度大于电容介质子层的总厚度，电流抑制主层的单层厚度大于电流抑制子层的单层厚度，由此减小漏电流，抑制漏电流的隧穿效应。 | ||
| 搜索关键词： | 电容介质 电极板 主层 子层 电流抑制 电容层 单层 集成电路电容器 半导体器件 漏电流 多层 本实用新型 节点接触 介质子层 连续设置 隧穿效应 相邻电容 非结晶 结晶相 减小 群组 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路电容器，其特征在于，包括：节点接触、位于所述节点接触上的第一电极板、位于所述第一电极板上的电容层结构以及位于所述电容层结构上的第二电极板，其中，所述电容层结构包括一结晶相的电容介质主层、连续设置的多层非结晶相的电容介质子层、以及位于相邻所述电容介质子层之间及位于所述电容介质主层与所述电容介质子层之间的多层电流抑制子层，所述电容层结构还包括一电流抑制主层，位于所述电容介质主层与由所述第一电极板和所述第二电极板所构成群组的最邻近电极板之间，并且所述电容介质主层的单层厚度大于所述电容介质子层的总厚度，所述电流抑制主层的单层厚度大于所述电流抑制子层的单层厚度。
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