[实用新型]光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置

摘要

本实用新型提供一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，该装置包括，基座、旋杯及工作平台，工作平台内对应晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴，第一侧缘清洗喷嘴工作时与晶圆保持同一水平高度，第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于晶圆的中心点。本实用新型提供的晶圆清洗装置能够较好的去除晶圆表面的污染物，避免了污染物的残留对后续半导体器件性能的影响，提高了半导体器件的良率。

主权项

1.一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，其特征在于，包括：基座，所述基座上连接旋转臂，所述旋转臂上设置有支撑盘，所述支撑盘用于承载并固定晶圆；工作平台，所述工作平台内对应所述晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应所述晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向和所述第一下边缘清洗喷嘴的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗所述晶圆的侧缘；旋杯，用于回收由所述晶圆上溅出的光刻胶，所述旋杯环绕所述支撑盘，且不与所述支撑盘接触，所述第一侧缘清洗喷嘴设置在所述旋杯的顶部内侧，所述第一侧缘清洗喷嘴工作时与所述晶圆保持同一水平高度，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述晶圆的中心点。