[实用新型]VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构有效
| 申请号： | 201820656923.6 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208045476U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 周理明;王毅;赵成;孙越;张孔欣;韩亚 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方。本实用新型的VDMOS功率器件防分层翘曲结构设计独特、结构简单、制作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 金属凸柱 功率器件 防分层 翘曲 塑封 粘接区 基板 电子封装技术 本实用新型 基板底面 基板顶面 矩形基板 矩形芯片 制作方便 基板顶 四角端 塑封体 顶面 芯片 覆盖 加工 | ||
【主权项】：
1.VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构，其特征在于，包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方；第一~四金属凸柱组包括若干金属凸柱，其中，两两金属凸柱之间设有间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司，未经扬州扬杰电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820656923.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
