[实用新型]一种低寄生电感的双面焊接功率模块有效
申请号: | 201820646361.7 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN208271878U | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 郝凤斌;王玉林;滕鹤松;徐文辉 | 申请(专利权)人: | 扬州国扬电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L25/07 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 饶欣 |
地址: | 225101 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低寄生电感的双面焊接功率模块,包括由上往下平行设置的输入极DBC和输出极DBC,输入极DBC外侧铜层上设有负极端子,输入极DBC内侧铜层上设有正极端子,输出极DBC内侧铜层上设有输出极端子;上半桥芯片和下半桥芯片设于输入极DBC内侧铜层上或者输出极DBC内侧铜层上;上半桥芯片包括上半桥开关器件和上半桥二极管,下半桥芯片包括下半桥开关器件和下半桥二极管;负极端子通过多个导电体连接输入极DBC内侧铜层,导电体分别位于上半桥开关器件与下半桥二极管之间以及上半桥二极管与下半桥开关器件之间,或者分别位于上半桥开关器件上方和下半桥二极管上方。本实用新型大大降低了功率模块的寄生电感。 | ||
搜索关键词: | 铜层 二极管 输入极 半桥开关 功率模块 输出极 电感 本实用新型 半桥芯片 负极端子 开关器件 双面焊接 低寄生 半桥 芯片 导电体连接 寄生电感 平行设置 正极端子 导电体 极端子 输出 | ||
【主权项】:
1.一种低寄生电感的双面焊接功率模块,其特征在于:包括由上往下平行设置的输入极DBC(1)和输出极DBC(6),输入极DBC外侧铜层(13)上设有负极端子(12),输入极DBC内侧铜层(14)上设有正极端子(11),输出极DBC内侧铜层(63)上设有输出极端子(61);上半桥芯片和下半桥芯片设于输入极DBC内侧铜层(14)上或者输出极DBC内侧铜层(63)上;上半桥芯片包括上半桥开关器件(151)和上半桥二极管(152),下半桥芯片包括下半桥开关器件(161)和下半桥二极管(162);负极端子(12)通过多个导电体连接输入极DBC内侧铜层(14),导电体分别位于上半桥开关器件(151)与下半桥二极管(162)之间以及上半桥二极管(152)与下半桥开关器件(161)之间,或者分别位于上半桥开关器件(151)上方和下半桥二极管(162)上方。
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