[实用新型]一种钝化接触多晶硅薄膜的掺杂结构

摘要

本实用新型公开了一种钝化接触多晶硅薄膜的掺杂结构，包括硅片，所述硅片的表面上设有超薄介质层，所述超薄介质层上设有多晶硅薄膜层，所述多晶硅薄膜层中设有较低掺杂浓度的掺杂浓度一区和较高掺杂浓度的掺杂浓度二区，所述较低掺杂浓度的掺杂浓度一区上未设有金属接触电极，所述较高掺杂浓度的掺杂浓度二区上设有金属接触电极。该钝化接触多晶硅薄膜掺杂结构采用选择性不同浓度的掺杂，有效解决了金属接触区域和非金属掺杂区域需要不同掺杂浓度来实现最佳性能的难题，能更能够发挥好其光学和电学性能。

主权项

1.一种钝化接触多晶硅薄膜的掺杂结构，包括硅片(1)，其特征是：所述硅片(1)的表面上设有超薄介质层(2)，所述超薄介质层(2)上设有多晶硅薄膜层(3)，所述多晶硅薄膜层(3)中设有较低掺杂浓度的掺杂浓度一区(4)和较高掺杂浓度的掺杂浓度二区(5)，所述较低掺杂浓度的掺杂浓度一区(4)上未设有金属接触电极，所述较高掺杂浓度的掺杂浓度二区(5)上设有金属接触电极(6)。