[实用新型]一种N型异质结双面太阳能电池结构

摘要

本实用新型公开了一种N型异质结双面太阳能电池结构，包括：N型硅片基体；依次形成在N型硅片基体的正面的n+轻掺杂层、正面本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、正面TCO薄膜；引出于N型掺杂非晶硅层的负电极；依次形成在N型硅片基体背面的背面本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、背面TCO薄膜；引出于P型掺杂非晶硅层的正电极。该电池结构通过在N型硅片基体的正面形成n+轻掺杂层后，可以降低对正面本征非晶硅钝化膜层厚度的均匀性要求，大幅降低工艺制作难度，易于获得良好的表面钝化效果；并且通过将P型掺杂非晶硅层转移到电池背面，解决了现有技术中P型掺杂非晶硅层不利于用作太阳电池正面的窗口层的问题。

主权项

1.一种N型异质结双面太阳能电池结构，其特征在于，包括：N型硅片基体；n+轻掺杂层，形成在所述N型硅片基体的正面；正面本征非晶硅层，形成在所述n+轻掺杂层上；N型掺杂非晶硅层，形成在所述本征非晶硅层上；正面TCO薄膜，形成在所述N型掺杂非晶硅层上；负电极，引出于所述N型掺杂非晶硅层；背面本征非晶硅层，形成在所述N型硅片基体的背面；P型掺杂非晶硅层，形成在所述背面本征非晶硅层上；背面TCO薄膜，形成在所述P型掺杂非晶硅层上；正电极，引出于所述P型掺杂非晶硅层。