[发明专利]压力传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811642151.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109738098A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 罗应树;刘松润;钟茗 | 申请（专利权）人： | 菲比蓝科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种压力传感器及其形成方法，其中所述压力传感器包括：基底，所述基底中具有第一导压孔；位于基底上表面上的第一半导体层，第一半导体层中具有第二导压孔，第二导压孔与第一导压孔连通，第一半导体层的部分下表面与基底的部分上表面之间具有隔离缝隙；位于第一半导体层的上表面上的隔离层，所述隔离层中具有有受压腔体，受压腔体与第二导压孔连通；位于隔离层上的第二半导体层，受压腔体正上方的对应的第二半导体层为应变膜，应变膜的表面具有应变电阻；位于应变膜、应变电阻和受压腔体周围的第一半导体层、隔离层和第二半导体中的隔离槽，所述隔离槽与隔离缝隙连通。本发明的压力传感器测量信号漂移较小，测量精度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 导压孔 受压腔体 隔离层 压力传感器 应变膜 基底 连通 隔离缝隙 应变电阻 隔离槽 上表面 压力传感器测量 基底上表面 精度提升 信号漂移 下表面 半导体 测量 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括下表面和相对的上表面，所述基底中具有贯穿基底上表面和下表面的第一导压孔；位于基底上表面上的第一半导体层，所述第一半导体层具有下表面和相对的上表面，所述第一半导体层中具有贯穿第一半导体层上表面和下表面的第二导压孔，第二导压孔与第一导压孔连通，所述第一半导体层的部分下表面与基底的部分上表面之间具有隔离缝隙，所述隔离缝隙位于第二导压孔一侧；位于第一半导体层的上表面上的隔离层，所述隔离层中具有有受压腔体，所述受压腔体与第二导压孔连通；位于隔离层上的第二半导体层，所述受压腔体正上方的对应的第二半导体层为应变膜，应变膜的表面具有应变电阻；位于应变膜、应变电阻和受压腔体周围的第一半导体层、隔离层和第二半导体中的隔离槽，所述隔离槽与隔离缝隙连通。
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