[发明专利]复合衬底及其制作方法、半导体器件有效
| 申请号： | 201811641056.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384150B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 周文龙 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种复合衬底及其制作方法、半导体器件，其中，所述复合衬底包括所述复合衬底包括衬底，制作于所述衬底的背面的应力补偿功能层，所述应力补偿功能层远离所述衬底的一面为曲面。本发明使得基于复合衬底生长出的外延层的参数均匀性更好，有效确保了外延层性能参数的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 及其 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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