[发明专利]用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811634002.0 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN110010572B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 冯光建;程明芳;马飞;王永河;郁发新 申请(专利权)人: 浙江集迈科微电子有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L21/48
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器及其制作方法,具体处理包括如下步骤:101)射频芯片载板处理步骤、102)散热载板制作步骤、103)键合成形步骤;本发明提供大功率散热,在芯片底部设置大流量相变液制冷散热器的一种用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器及其制作方法。
搜索关键词: 用于 系统 大功率 模组 流量 散热器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种用于系统级大功率模组的大流量液冷散热器的制作方法,其特征在于,具体处理包括如下步骤:101)射频芯片载板处理步骤:射频芯片载板上表面通过刻蚀工艺制作凹槽,凹槽深度小于转接板厚度;射频芯片载板上表面采用沉积氧化硅、沉积氮化硅或者直接热氧化方法中的一种,形成绝缘层;绝缘层上采用物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺中的一种,制作种子层;电镀金属,覆盖凹槽表面,200到500度温度下密化金属;CMP工艺去除射频芯片载板的表面金属,留下凹槽内金属;凹槽内通过共晶键合工艺键合射频芯片;射频芯片载板上表面通过临时键合工艺键合备用载板;射频芯片载板下表面进行减薄,减薄后的下表面跟凹槽底部距离在0um到100um之间;通过光刻、电镀工艺在射频芯片载板下表面制作键合金属形成焊盘;取下备用载板;102)散热载板制作步骤:散热载板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作TSV孔,TSV孔深度小于散热载板厚度;散热载板上表面采用沉积氧化硅、沉积氮化硅或者直接热氧化方法中的一种,形成绝缘层;通过光刻、刻蚀工艺在设置TSV孔的位置处设置空腔,每个空腔底部与两个TSV孔顶端互相联通形成单个流通模组;103)键合成形步骤;散热载板上表面与射频芯片载板下表面键合,减薄散热载板下表面,露出TSV孔;切割得到散热器模组,将液体注入单个流通模组的其中一个TSV孔内。
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