[发明专利]氮化镓基半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 201811627027.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384663A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 任霄钰;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底和设于衬底底部的底电极以及依次层叠设置于衬底顶部的外延结构、绝缘层、顶电极，外延结构的顶部具有脊形半导体层，脊形半导体层具有第一脊形部和欧姆接触层，欧姆接触层设于第一脊形部上，绝缘层设有开口，开口的宽度小于欧姆接触层的宽度，顶电极通过开口与欧姆接触层接触。由于开口的宽度小于第一脊形部的宽度，使得第一脊形部中央的载流子密度大于第一脊形部两侧的载流子密度，基模的增益只有很小的降低，而高阶模的增益则降低很多，同时，由于第一脊形部的宽度足够大，可以增加氮化镓基半导体激光器的光功率，从而形成了具有较高光功率的单基模氮化镓基半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811627027.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：贯流风叶及具有其的空调器
- 下一篇：一种信号控制装置、方法以及车辆
