[发明专利]一种用于无线能量传输的肖特基二极管及整流电路在审
申请号: | 201811621007.X | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109698233A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 薛磊;李雯 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/165 | 分类号: | H01L29/165;H01L21/329;H01L29/872 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于无线能量传输的肖特基二级管及整流电路,所述肖特基二级管包括:Si衬底、第一Ge层、张应变Ge层、第二N型Ge1‑xSnx层、第三N型Ge1‑xSnx层、Al金属层和W金属层,其中,第一Ge层设置在Si衬底的表面;张应变Ge层设置在第一Ge层的表面;第二N型Ge1‑xSnx层设置在张应变Ge层的表面;第三N型Ge1‑xSnx层内嵌在第二N型Ge1‑xSnx层中;Al金属层设置在第三N型Ge1‑xSnx层的表面上;W金属层设置在第二N型Ge1‑xSnx层的预设肖特基接触区域内。应用本发明实施例,能够提高肖特基二极管的电子迁移率,从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。 | ||
搜索关键词: | 张应变 无线能量传输 肖特基二极管 肖特基二级管 整流电路 金属层 衬底 无线能量传输系统 最大转换效率 电子迁移率 肖特基接触 内嵌 预设 微波 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于无线能量传输的肖特基二极管,其特征在于,包括:Si衬底(001)、第一Ge层(002)、张应变Ge层(003)、第二N型Ge1‑xSnx层(004)、第三N型Ge1‑xSnx层(006)、Al金属层(007)和W金属层(009),其中,所述第一Ge层(002)设置在所述Si衬底(001)的表面;所述张应变Ge层(003)设置在所述第一Ge层(002)的表面;所述第二N型Ge1‑xSnx层(004)设置在所述张应变Ge层(003)的表面;所述第三N型Ge1‑xSnx层(006)内嵌在所述第二N型Ge1‑xSnx层(004)中;所述Al金属层(007)设置在所述第三N型Ge1‑xSnx层(006)的表面上;所述W金属层(009)设置在所述第二N型Ge1‑xSnx层(004)的预设肖特基接触区域内。
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